Fotorezystor
Źródło: Matura fizyka rozszerzona 11.3 — Matura maj 2009, stara formuła, poziom rozszerzony, zad. 4
Fotorezystor (cienka warstwa CdS na izolującym podłożu) zmienia opór pod wpływem światła.
Podpunkt 4.1
a) Jak w teorii pasmowej odróżnić izolator, półprzewodnik i przewodnik?
b) Które z pierwiastków: miedź, żelazo, german, rtęć, krzem są półprzewodnikami? (0–2 pkt)
Podpunkt 4.2
Jak nazywają się nośniki większościowe w półprzewodniku typu n? (0–1 pkt)
Podpunkt 4.3
Z charakterystyk 𝐼(𝑈 ) fotorezystora (proste przez początek układu, tym bardziej strome, im większe natężenie oświetlenia 𝐸, od 10 do 1000 lx) ustal, jak opór zależy od oświetlenia, i wyjaśnij mikroskopowo. (0–3 pkt)
Podpunkt 4.4
Fotorezystor połączono szeregowo z opornikiem 3500 Ω i amperomierzem; bateria 12 V (bez oporu wewnętrznego), amperomierz wskazuje 2 mA. Na charakterystyce punkt (5 V; 2 mA) leży na prostej dla 𝐸 = 100 lx. Wyznacz natężenie oświetlenia. (0–3 pkt)
Podpunkt 4.5
Opornik 2 kΩ i fotorezystor (od 2 kΩ przy słabym do 500 Ω przy silnym oświetleniu) łączymy szeregowo lub równolegle. Oblicz opory zastępcze dla obu oświetleń i obu połączeń. (0–3 pkt)
Odpowiedź
Podpunkt 4.1
a) Przewodnik: brak przerwy lub częściowo obsadzone pasmo; półprzewodnik: mała przerwa energetyczna; izolator: duża przerwa.
b) Przykłady: german i krzem.
Podpunkt 4.2
Nośniki większościowe: elektrony.
Podpunkt 4.3
Oświetlenie zmniejsza opór fotorezystora, zwiększając liczbę elektronów i dziur.
Podpunkt 4.4
Natężenie oświetlenia: 100 lx.
Podpunkt 4.5
Szeregowo: 4 kΩ przy słabym i 2,5 kΩ przy silnym oświetleniu. Równolegle: odpowiednio 1 kΩ i 0,4 kΩ.
Rozwiązanie
Podpunkt 4.1
a) Przewodnik: pasmo przewodnictwa częściowo zapełnione lub zachodzące na walencyjne (brak przerwy); półprzewodnik: wąska przerwa energetyczna (ok. 1 eV); izolator: szeroka przerwa.
b) German i krzem.
Podpunkt 4.2
Elektrony.
Podpunkt 4.3
Opór maleje ze wzrostem oświetlenia (przy tym samym napięciu płynie większy prąd). Fotony przenoszą elektrony z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa – przybywa swobodnych elektronów i dziur, więc przewodnictwo rośnie.
Podpunkt 4.4
𝑈𝑅 = 𝐼𝑅 = 0,002 ⋅ 3500 = 7 V; na fotorezystorze 12 − 7 = 5 V (𝑅𝑓 = 2500 Ω). Punkt (5 V; 2 mA) odpowiada 𝐸 = 100 lx.
Podpunkt 4.5
Szeregowo: 4 kΩ (słabe), 2,5 kΩ (silne). Równolegle: 1 kΩ (słabe), 2⋅0,5 2,5 = 0,4 kΩ (silne).